| возникают из-за прерывания тока в индуктивной нагрузке при запирании транзистора. В тестовой схеме, приведенной на рис. 1, транзистор верхнего плеча постоянно закрыт, а на нижний подаются импульсы от схемы управления затвором GATE DRIVE. При открывании транзистора нижнего плеча ток IL в нагрузке (LOAD) начинает возрастать. Когда транзистор закрывается, ток индуктивности IFWD продолжает течь через оппозитный диод (антипараллельный диод верхнего транзистора). В случае идеальной схемы, при отсутствии паразитных распределенных индуктивностей, напряжение на ниж-нем плече (VC2E2) при его выключении растет до тех пор, пока не превысит напряжение питания VCC на величину напряжения отпирания диода. Открывшийся диод препятствует дальнейшему росту напряжения. Рис. 2. Разделение силовой и сигнальной шин общего провода В реальных схемах всегда присутствуют паразитные индуктивности (на схеме показана индуктивность шины питания LB). Из-за влияния этой индуктивности напряжение на нижнем |