| с V(BR) < 220 B, и VF = 5,0 B макс. для диодов с V(BR) > 220 B. Таблица 3. Электрические параметры Тип (JEDEC) Тип (General Semicon-ductor) Напря-жение пробоя V(BR) (B) Тест. ток про-боя IT (мА) Постоян-ное обратное напря-жение VWM (B) Макс. обр. ток при VWM Макс. имп. ток ограни-чения Ippm (A) Макс. напря-жение ограни-чения при Ippm Vc (B) Темпер. коэф. напря-жения пробоя (%/°С) Макс. Мин. 1N6267- 1.5KE6.8- 6,12 7,48 10 5,5 1000 139 10,8 0,057 1N6303A 1.5KE200A*- 190 210 1 171 1,0 5,5 274 0,108 - 1.5KE440A 418 462 1 376 1,0 2,5 602 0,110 Примечание. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(BR). Тип TVS-диода для конкретного применения выбирается, исходя из рассчитанного значения Римп. мах. с учетом длительности импульса и его формы. При этом Vобр. должно быть равно напряжению, действующему в цепи или превышать его с учетом максимального допуска. Обычно Римп. мах. рассчитывается с |