| эпюре показан ток коллектора транзистора Ic, начиная c мо-мента включения, когда напряжение на нагрузке нулевое. Он нарастает до величины, ограниченной обратной связью (около 80А), после чего драйвер стремится отключить силовой транзистор. Однако из-за индуктивного характера нагрузки при запирании транзистора открывается диод VD4, ток которого в первый момент имеет такую же величину. Прямое падение напряжения на диоде при таком токе составляет около 5В, то есть напряжение на эмиттере транзистора (Ve) в этот момент - минус 5В. Между тем, потенциал на выходе драйвера такой же, как на выводе VS (Vvs). Его величина ограничена диодом VD2 и не превышает 0,7В. Поэтому транзистор оказывается приоткрыт, и ток через него не прекращается! Это видно из графика Ic. Транзистор выходит из насыщения и мощность, рассеиваемая на нем (около 3кВт) может привести к разрушению кристалла. Как правило, после выхода из строя транзистора повреждается и драйвер. Исключение из схемы диода VD2 устраняет эту проблему, однако появляется вероятность повреждения драйвера из-за отрицательных пиков. Показанный процесс можно назвать схемотехнической защелкой в отличие от защелки технологической. Современные технологии и, в частности, появление транзисторов IGBT, MOSFET нового поколения и драйверов, раскрывает перед разработчиком широчайшие возможности. Использование этих элементов в сочетании с цифроыми контроллерами позволяет строить мощные малогабаритные преобразователи, имеющие высокую надежность. Однако для реализации этих возможностей необходим строгий подход к расчету, разработке схем и конструированию. Только компьютерное моделирование схем, без которого современная разработка немыслима, позволяет учесть все требования по применению новых элементов и обеспечить необходимые режимы работы. 1 - Силовые полупроводниковые приборы. International Rectifier. Воронеж 1995 г. |