| передачи тока базы h21=20 ... 75; - емкость коллекторного перехода Ck< 8 пФ; - сопротивление коллектор-эмиттер в режиме насыщения rкэнас<30 Ом. Активный элемент усилителя напряжения, т.е. транзистор VT2, должен быть высокочастотным n-p-n транзистором малой мощности с напряжением Uкэ>1,5•Eп2. Подойдет транзистор 1Т311А, который имеет следующие технические характеристики: - мощность рассеяния коллектора Pkmax=150 mВт; - граничная частота fгр>300 МГц; - предельное напряжение коллектор-база Uкбо=12 В; - предельно допустимое напряжение эмиттер-база Uэб=2 В; - максимальный ток коллектора Ikmax=50 mA; - коэффициент передачи тока базы h21=15 ... 80; - емкость коллекторного перехода Ck< 2,5 пФ; - сопротивление коллектор-эмиттер в режиме насыщения rкэнас<20 Ом. Транзистор VT1 источник тока должен иметь напряжение коллектор-эмиттер Uкэ1>1,5 •Еп2=9 В. Этому условию удовлетворить транзистор 2Т301Е. Это кремниевый n-p-n транзистор со следующими характеристиками: - мощность |