| законом сохранения энергии определяется соотношением: lизл [мкм] = 1,23 / Eф [эB] (2.4) Следует отметить, Что имеются и конкурирующие безызлучательные - механизмы рекомбинации. К числу важнейших из них относятся: 1. Рекомбинация на глубоких центрах. Электрон может переходить в валентную зону не прямо, а через те или иные центры рекомбинации, образующие разрешенные энергетические уровни в запрещенной зоне (уровень Et на рисунке 2). 2. Оже-рекомбинация (или ударная). При очень высоких концентрациях свободных носителей заряда в полупроводнике растет вероятность столкновения трех тел, энергия рекомбинирующей электронно-дырочной пары при этом отдается третьему свободному носителю в форме кинетической энергии, которую он постепенно растрачивает при соударениях с решеткой. Pис. 3. Электрическая (a) и оптическая (b) модели светодиода. A - оптически "прозрачная" часть кристалла; B - активная часть кристалла; C -"непрозрачная" часть кристалла; D - омические контакты; |