| же важным инструментом в конкуренции на рынке электронных компонентов, как и собственно цена. На сегодняшний день хотелось бы выделить три основных производителя вышеуказанного транзистора. Исторически первым был SIEMENS c технологией SIPMOS в и сопротивлением перехода в открытом состоянии 2W. За ним последовали SGS -Thomson (ныне именуемый STMicroelectronics) и International Rectifier c технологией HEXFET в , которым удалось достигнуть RDS(on)=1.35W и 1.2W соответственно. Для лучшего понимания сходства и различий между транзисторами производимыми этими тремя компаниями , основные параметры сведены в таблицу: Фирма SIEMENS STMicroelectronics International Rectifier Параметры/ ТИП BUZ90A STP5NA60 IRFBC40 VSSD 600V 600V 600V RDS(on) 2W при токе 3.7 А 1.35W 1.2W ID 4A 5,3A 6,2A Корпус ТО220AB TO220AB TO220AB Имп. Ток. IDM 16A 21A 25A Мощность PD 75W 110W 125W Рабочая температура -55 +150°С -65 +150°С -55 +150°С VGS ±20V ±30V ±25V Порог управления |