| фирм (среди которых одной из первых была фирма International Rectifier) появились транзисторы IGBT. С тех пор практически все ведущие производители мощных полупроводниковых приборов изготавливают эти транзисторы. IGBT представляет собой PNP транзистор, управляемый от сравнительно низковольтного МОП транзистора с индуцированным каналом через высоковольтный N-канальный полевой транзистор. Новая технология позволила соединить в одном элементе достоинства полевых и биполярных транзисторов. У IGBT практически отсутствуют входные токи, они имеет отличные динамические характеристики, не уступающие MOSFET. В то же время потери у них растут пропорционально току, а не квадрату тока, как у полевых транзисторов. Максимальное напряжение IGBT ограничено только технологическим пробоем, и уже сегодня выпускаются транзисторы с рабочим напряжением до 2000В. При этом напряжение насыщения у них не превышает 2-3В в рабочих режимах. Основным недостатком IGBT транзисторов пока остаются динамические потери, |