| и являлись наиболее популярными ключевыми элементами. Однако оказалось, что главным параметром, ограничивающим область их применения, является напряжение стока. Высоковольтных МОП - транзисторов с достаточно хорошими характеристиками создать пока не удается, так как сопротивление открытого МОП ПТ растет пропорционально квадрату пробивного напряжения. Кристаллы высоковольтных МОП ПТ имеют большую площадь и, соответственно, большую стоимость чем у биполярных транзисторов. Справедливости ради надо сказать, что многие фирмы продолжают работать над созданием высоковольтных полевых транзисторов. В частности IXYS выпускает транзисторы по BIMOSFET технологии, рассчитанные на напряжение до 1600В. Однако напряжение насыщения у них составляет 7В, соответственно и рассеиваемая на них мощность оказывается недопустимо большой. В середине 80-х г.г., возникла идея создания биполярного транзистора с МОП - управлением, названного IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor. В 90-91 г.г. в каталогах ряда |