| транзисторе при запирании увеличивается на LBxdi/dt, где di/dt — скорость изменения тока в шине. Суммарное напряжение VCC + LBxdi/dt может превысить значение напряжения пробоя и вывести транзистор из строя. Переходные перенапряжения при обратном восстановлении диода Предположим, что нижний транзистор на схеме (рис.1) закрыт и ток нагрузки течет через антипараллельный диод верхнего транзистора. При открывании транзистора нижнего плеча ток диода IFWD уменьшается, так как ток нагрузки переходит в нижний транзистор. Происходит процесс обратного восстановления диода, при котором через диод течет обратный ток, связанный с рассасыванием неосновных носителей в области p-n-перехода. Ток обратного восстановления может достигать больших значений и зависит он от конструкции диода. Этот процесс приводит к резкому падению до нуля тока в шине питания. Добавочное перенапряжение при этом определяется аналогично (LBxdi/dt), но в этом случае величина di/dt определяется характеристиками обратного восстановления |