заряжается до напряжения питания через резистор. При выключении IGBT паразитная индуктивность шины питания вызывает перенапряжение. Снабберный диод открывается и сбрасывает энергию, запасенную в индуктивности шины, в конденсатор снаббера. Такая конфигурация устраняет влияние индуктивности корпуса оппозитного IGBT и индуктивности связи «верхний эмиттер—нижний коллектор» в цепи снаббера. Схема выполняется на печатной плате минимальных размеров с использованием диодов с малым временем обратного восстановления и мощными резисторами. Плата должна быть установлена на шине непосредственно над модулем, как показано на рис. 3. Радикальным решением проблемы перенапряжений при невысоких рабочих токах является установка полупроводникового супрессора параллельно снабберным конденсаторам в схемах рис. 7. В качестве супрессора может быть использован защитный диод TRANSIL производства STMicroelectroniсs. При превышении номинального напряжения они переходят в режим короткого замыкания, поглощая выбросы напряжения большой мощности. Параметр Ipk 8/20 мкс определяет максимальный импульсный обратный ток нормированной длительности. Некоторые характеристики диодов TRANSIL приведены в табл. 3. Поскольку напряжение пробоя Ubr ниже рабочего напряжения, допускается их последовательное включение с уравнивающими резисторами.
Используются технологии uCoz