| TVS-диодов является барьерная емкость р–n-перехода. Малоемкостные TVS-диоды (С=90–100 пФ) применяются для защиты линий связи переменного тока с частотой до 100 МГц от выбросов напряжения. Вольтамперные характеристики TVS-диодов и их схемотехнические символы приведены на рис. 1–3. Рис. 2. ВАХ несимметричного TVS-диода Рис. 3. ВАХ симметричного TVS-диода Основные электрические параметры TVS-диодов Uпроб. при IТ (V(BR)), В — значение напряжения пробоя при заданном тестовом токе пробоя IТ ; Iобр.( ID) , мка — значение постоянного обратного тока, протекающего через прибор в обратном направлении при напряжении, равном Vобр.; Vобр. (VWM), В — постоянное обратное напряжение (в соответствии с этим параметром выбирается тип ограничителя); Vогр. имп. мах.( VС), В — максимальное импульсное напряжение ограничения при максимальном импульсном токе при заданных длительности, скважности, форме импульса и температуре окружающей среды; Римп. мах.(Pppm), Вт — максимально |