| 16,5 70 1N6377 ICTE-15 15,0 17,6 2,0 20,1 20,6 60 Таблица 5. Электрические параметры нессимметричных диодов Тип (JEDEC) Тип (General Semiconductor) Постоян-ное обратное напря-жение VWM (B) Мин.(3) напря-жение пробоя при токе 1 мА V(BR) (B) Макс. обр. ток при VWM ID (мкА) Макс. напря-жение ограни-чения при IPPM=1,0 A VC (B) Макс. напря-жение ограни-чения при IPPM= 10 A VC (B) Макс. имп. ток ограни-чения IPPM (A) 1N6382 ICTE-8C 8,0 9,4 50,0 11,4 11,6 100 1N6383 ICTE-10C 10,0 11,7 2,0 14,1 14,5 90 1N6384 ICTE-12C 12,0 14,1 2,0 16,7 17,1 70 1N6385 ICTE-15C 15,0 17,6 2,0 20,8 21,4 60 Таблица 6. Электрические параметры симметричных диодов Параметр Обозначение Значение параметра Единица измерения Макс. имп. Мощность (имп.-10/1000 мкс)(1) Pppm мин. 1500 Вт Макс. имп. Ток (имп. -10/1000 мкс)(1) Ippm см. следующую таблицу А Постоянна рассеиваемая мощность при Т=75°, длине выводов 9,5мм Pm(av) 6,5 Вт Макс. прямой ток, только для |