| процесса облучения в сочетании с классическими процессами. Возможности по обеспечению di/dt определяются работой диода (см. рис. 6). Рис. 6. Упрощенная схема трёхфазного инвертора на IGCT Основной производитель IGCT фирма "ABB".Параметры тиристоров по напряжению UDRM: 4500 В, 6000 В; по току ITGQM: 3000 А, 4000 А. Заключение Быстрое развитие в начале 90-х годов технологии силовых транзисторов привело к появлению нового класса приборов - биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistors). Основными преимуществами IGBT являются высокие значения рабочей частоты, КПД, простота и компактность схем управления (вследствие малости тока управления). Появление в последние годы IGBT с рабочим напряжением до 4500 В и способностью коммутировать токи до 1800 А привело к вытеснению запираемых тиристоров (GTO) в устройствах мощностью до 1 МВт и напряжением до 3,5 кВ. Однако новые приборы IGCT, способные работать с частотами переключения |