| тока (например при коротком замыкании), либо из-за большой скорости нарастания напряжения (когда фронт напряжения дифференцируется паразитной емкостью Cs). Рис. 1 При разработке схем с использованием транзисторов IGBT, в которых та-кая ситуация возможна, следует особое внимание уделять ограничению максимальных токов и ограничению dV/dt. Для этого существует ряд известных способов, в частности, правильный выбор тока защиты, выбор резистора затвора Rg и использование цепей, формирующих траекторию переключения. Все эти методы описаны в руководствах по использованию транзисторов. С эффектом защелки ведется успешная борьба. Так, например, в "Рекомендациях по применению" фирмы International Rectifier уже в начале 90х годов указывалось, что триггерная структура подавлена полностью, и защелка исключена при всех режимах работы, включая ток короткого замыкания и любые достижимые фронты напряжений и токов. В документации SIEMENS 1997г. также говорится, что в транзисторах нового |