| параметры. Граничное условие при Iэ=5мА не менее: КТ315Д, КТ315В 30В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=20мА, Iб=2мА не более: КТ315В 0,4В КТ315Д 1В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=20мА, Iб=2мА не более: КТ315В 1,1 В КТ315Д 1,5 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=10В, Iк=1мА: КТ315Д,КТ315В 20-90 Постоянная времени цепи при обратной связи на высокой частоте при Uкб=10B, Iэ=5мА не более: КТ315В 500нс КТ315Д 1000нс Емкость коллекторного перехода при Uкб=10В не более: КТ315В, КТ315Д 7 пФ Входное сопротивление при Uкэ=10 В, Iк=мА не менее 40Ом Выходная проводимость при Uкэ=10 В, Iк=1 мАне более: 0,3мкСм Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ=10кОм: КТ315В, КТ315Д 40 В Постоянное напряжение база-эмиттер 6 В Постоянный ток коллектора: КТ315В,КТ315Д 100мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=213-298К КТ315В, КТ315Д 150 мВт Температура перехода |