| Его величина выбирается из условия . Выберем R7=100 Ом. Транзистор VT1 источника тока должен иметь . Этому условию удовлетворяет транзистор 2Т301Е, это кремниевый n-p-n транзистор с коэффициентом передачи тока базы h21=40..180; мощность рассеяния коллектора Pк мах=150 мВт; максимальный ток коллектора Iк мах=10 мА, Uкб0 мах=30 В, Uэб0=3 В. По семейству выходных ВАХ выберем ток покоя транзистора VT1 Iк1=2 мА , при Uкэ1=4 В. Учитывая, что напряжение на диоде VD3=Uбэ2 и падение напряжения на резисторе R7 -- малая величина, имеем: , . Из справочника , по ВАХ туннельного диода, имеем , тогда . Прямое напряжение отпирания диода VD2 UVD3 на туннельном диоде UпорVD2>UVD3. Этому условию удовлетворяет кремниевый диод типа КД503Б или 2Д503Б с . Диод VD1 – любой кремниевый маломощный с прямым током . Подойдет распространенный диод типа Д220. Ток делителя R1,R2 принимаем равным Напряжение на базе транзистора VT1 определяется, как . По входной ВАХ транзистора VT1 |