| рассеяния коллектора Pkmax=150 mВт; - предельное напряжение коллектор-база Uкбо=30 В; - предельно допустимое напряжение эмиттер-база Uэб=3 В; - максимальный ток коллектора Ikmax=10 mA; - коэффициент передачи тока базы h21=40 ... 180; - сопротивление коллектор-эмиттер в режиме насыщения rкэнас<300 Ом. Туннельный диод VD3выбран из условия, что участок его ВАХ с отрицательным дифференциальным сопротивлением должен быть расположен в диапазоне напряжений, охватывающим рабочую точку Uбэ2 транзистора VT2. Выбран туннельный диод 3Н306Р с параметрами: - пиковый ток 4,5 ... 5,5 мА; - напряжение пика не более 0.78 мА; - напряжение раствора 0,85 ... 1,15 В; - максимально допустимый постоянный прямой ток 1,2 мА. Прямое напряжение отпирания диода VD2 UпорVD2 должно быть больше напряжения UVD3 на туннельном диоде VD3. Этому условию удовлетворяет кремниевый диод типа 2Д503Б с параметрами: - постоянное прямое напряжение при Iпр=10 мА не более 1,2 В; - импульсное прямое напряжение при Iпримп=50 |