характеристик фотодиода является III квадрант на рис. 4,а; соответственно этому в качестве важнейшего параметра выступает токовая чувствительность (2.10) Второе равенство в (2.10) получено в предположении линейной зависимости Iф = f(Pф), а третье - при условии пренебрежения темновым током (IT << IФ ), что для кремниевых фотодиодов обычно выполняется. Если освещать фотодиод без приложения к нему внешнего смещения, то процесс разделения генерируемых электронов и дырок будет протекать благодаря действию собственного встроенного поля р - n-перехода. При этом дырки будут перетекать в р-область и частично компенсировать встроенное поле р - n-перехода. Создается некоторое новое равновесное (для данного значения: Pф) состояние, при котором на внешних выводах диода возникает фото-ЭДС Uф. Если замкнуть освещенный фотодиод на некоторую нагрузку, то он будет отдавать в нее полезную электрическую мощность Рэ. Характеристическими точками вольт-амперных характеристик диода, работающего
Используются технологии uCoz