| E - область объемного заряда Относительная роль различных механизмов рекомбинации описывается введением понятия внутреннего квантового выхода излучения hint, определяемого отношением вероятности излучательной рекомбинации к полной (излучательной и безызлучательной) вероятности рекомбинации (или, иначе, отношением числа генерированных квантов к числу инжектированных за то же время неосновных носителей заряда). Значение hint является важнейшей характеристикой материала, используемого в светодиоде; очевидно, что 0 hint 100%. Создание избыточной концентрации свободных носителей в активной (излучающей) области кристалла светодиода осуществляется путем инжекции их р-n-переходом, смещенным в прямом направлении. "Полезной" компонентной тока, поддерживающей излучательную рекомбинацию в активной области диода, является ток электронов In (рис. 3,а), инжектируемых р-n-переходом. К "бесполезным" компонентам прямого тока относятся: 1. Дырочная составляющая Ip, обусловленная |